弗莱贝格MDPmap单晶和多晶片寿命测试设备用于*的各种复杂材料的研究[CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge]硅|化合物半导体|氧化物|宽带隙材料|钙钛矿|外延
更新时间：2023-06-15
弗莱贝格MDPmap单晶和多晶片寿命测试设备
用于*的各种复杂材料的研究
[CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge]
硅|化合物半导体|氧化物|宽带隙材料|钙钛矿|外延
弗莱贝格MDPmap单晶和多晶片寿命测试设备
产品性能
*材料的研究和开发
灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测，
具有可视化测试的分辨率
测试速度: < 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率
寿命测试范围: 20ns到几ms
玷污测试: 产生于坩埚和生产设备中的金属沾污（Fe）
测试能力: 从切割的晶元片到所有工艺中的样品
灵活性: 允许外部激发光与测试模块进行耦合
可靠性: 模块化紧凑型台式检测设备，使用时间 > 99%
重复性: > 99.5%
电阻率: 无需时常校准的电阻率面扫描
*材料的研究和开发
应用案例
+ 铁浓度测定
+ 陷阱浓度测试
+ 硼氧浓度测试
+ 受注入浓影响的测试
常规寿命测试
+ 无接触且非破坏的少子寿命成像测试：
(μPCD/MDP(QSS),光电导率，电阻率和p/n型检测符合半导体行业标准 SEMI PV9-1110
+ 多可集成4个不同波长光源，具有大范围可调的光注入水平，可对单点进行少子寿命的瞬态测试，
+ 可对单点进行少子寿命的瞬态测试，也可对晶圆片进行面扫
MDPStudio
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› 线扫描和单点瞬可视化测试
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